半導体工業のガスの配分組織の製造

July 14, 2023
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半導体の製作では、ガスは仕事を完全にし、レーザーはすべての注意を得る。レーザーがケイ素に腐食のトランジスター パターンをする間、最初にケイ素を沈殿させ、完全な回路を作るためにレーザーを破壊する腐食は一連のガスである。それは多段式プロセスによってマイクロプロセッサを発達させるのに使用されているこれらのガスが高い純度でも不思議ではない。この限定に加えて、そのほとんどに他の心配および限定がある。ガスの一部は低温学である、他は腐食性であり、まだ他は非常に有毒である。

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全体として、これらの限定は半導体工業のための製造のガスの配分組織にかなりの挑戦をする。材料仕様書は要求している。材料仕様書に加えて、ガスの配分の配列は相互接続システムの複雑な電気機械の配列である。組み立てられる環境は複雑、重複である。最終的な製作はインストール プロセスの一部として場所で起こる。より処理しやすい堅く、挑戦的な環境の製造業を作っている間軌道はんだ付けする助けガスの配分の条件の高い指定に合うため。

 

半導体工業がガスをいかに使用するか

ガスの配分組織の製造を計画するように試みる前に半導体の製造業の少なくとも基本原則を理解することは必要である。中心で、半導体は非常に管理された方法の表面のほぼ元素固体を沈殿させるのにガスを使用する。これらの沈殿させた固体は付加的なガス、レーザー、化学etchantsおよび熱をもたらすことによってそれから変更される。広いプロセスのステップは次のとおりである:

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沈殿:これは最初のシリコンの薄片を作成するプロセスである。ケイ素の前駆物質のガスは真空沈殿部屋にポンプでくまれ、化学か物理的な相互作用によって薄いシリコンの薄片を形作る。

写真平版:写真セクションはレーザーを示す。最も高い指定の破片を作るのに使用されるウエファーにマイクロプロセッサ回路部品をエッチングするのにより高く極度な紫外石版印刷(EUV)スペクトルでは二酸化炭素レーザーが使用されている。

エッチング:エッチング プロセスの間にシリコン基板で指定材料を活動化させ、分解するために、ハロゲン カーボン ガスは部屋にポンプでくまれる。このプロセスは効果的に基質にlaser-printed回路部品を刻む。

添加:これは半導体が行なう厳密な条件を定めるためにエッチングされた表面の伝導性を変える追加手順である。

アニーリング:このプロセスでは、ウエファーの層間の反作用は高い圧力および温度によって誘発される。基本的に、それは前のプロセスの結果を終了し、ウエファーで終了されたプロセッサを作成する。

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部屋およびライン クリーニング:特にエッチングし、添加する前のステップで、使用されるガスは頻繁に非常に有毒、反応である。従って有害な反作用を減らしか、または除去し、それに与えるプロセス部屋およびガス管線は中和のガスで満ちていることを次に外の環境からあらゆる汚染のガスの侵入を防ぐために不活性ガスで満ちている必要がある。

半導体工業のガスの配分組織は頻繁に複雑な多くの異なったガスおよびそのうちに維持されなければならないガス流れ、温度および圧力の堅い制御のために複雑である。これはプロセスの各ガスに必要な超高度純度によって更に複雑になる。前のステップで使用されるガスはラインおよび部屋のプロセスの次のステップが始まることができる前に流し出されるか、または別の方法で中和しなければならない。これは多数の専門にされたライン、ホース間の溶接された管システムおよびホース間のインターフェイスが、インターフェイスおよび管およびガスの調整装置およびセンサーある、および前に述べられた部品すべてと天燃ガスの供給のパイプラインの汚染が交換されることを防ぐように設計されている弁および密封システム間のインターフェイスことを意味する。

さらに偶然の漏出の場合に危険を軽減するために、クリーンルームの外面および専門のガスはクリーンルームの環境および専門にされた限られた区域のバルク ガス供給 システムが装備される。非常に複雑な環境のこれらのガス システムを溶接することは容易な仕事ではない。但し、注意して、細部への注意および右の装置は、この仕事首尾よく達成することができる。

 

半導体工業の製造のガスの配分組織

半導体のガスの配分組織で使用される材料は極めて変わりやすい。それらは非常に腐食性のガスに抵抗するためにPTFEが並ぶ金属の管およびホースのような事を含んでもいい。半導体工業で一般目的の配管に使用する共通材料は316Lステンレス鋼-低炭素のステンレス鋼の変形である。316Lに関しては対316、316Lは粒界腐食に対してより抵抗力がある。これはカーボンを腐食できる非常に反応および可能性としては揮発ガスの範囲を取扱うとき重要な考察である。溶接316Lステンレス鋼解放より少ないカーボン沈殿物。それはまた溶接および熱影響部の凹む腐食をもたらす場合がある粒界の腐食のための潜在性を減らす。

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製品種目腐食および汚染をもたらす配管腐食の可能性を減らすためにはガスおよびタングステンのガスを保護する純粋なアルゴンと溶接された316Lステンレス鋼は溶接柵をである半導体工業の標準保護した。プロセス配管の高い純度の環境を維持するのに必要とされる制御を提供する唯一の溶接プロセス。自動化された軌道溶接は半導体のガスの配分だけで利用できる