ガスの処置装置の半導体、液晶およびsolar energy企業でプロセスおよび化学気相堆積プロセスを、SiH4を含んで、SiH2Cl2エッチングすることで使用される扱うのガスをことができるPH3、B2H6、TEOS、H2、CO、NF3、SF6、C2F6、WF6、NH3、N2O、等後につきなさい。
排気ガスの治療法
排気ガスの処置の特徴に従って、処置は4つのタイプの処置に分けることができる:
1. 水洗浄のタイプ（腐食性のガスの処置）
2. 酸化のタイプ（可燃性および有毒ガスを取扱う）
3. 吸着（対応する排気ガスを取扱う吸着材料のタイプに従って）。
4.Plasma燃焼のタイプ（すべてのタイプの排気ガスは扱うことができる）。
各タイプの処置に自身の利点がおよび不利な点、また適用範囲がある。治療法が水洗浄のとき、しか装置は安く、簡単で、水溶性のガスを扱わないことができる;電気水洗浄のタイプの適用範囲は水洗浄タイプのそれより高いが、作業費は高い;乾式によい処置の効率があり、詰るか、または流れて容易であるガスの流れに適当ではない。
半導体工業で一般的な化学薬品および副産物は化学特性および異なった範囲に従って分類することができる:
1. SiH4H2、等のような可燃性ガス。
2. AsH3、PH3、等のような有毒ガス。
3. HF、HCl、等のような腐食性のガス。
4. CF4、NF3、等のような温室効果ガス。
上記の4つのガス以来環境か人体に有害で、大気に直接放出を防がなければならないであって下さいそうすれば一般的な半導体の植物は大型中心にされた排気ガスの処置システムと取付けられているが、このシステムは水ごしごし洗う排気だけである、従って適用は長距離の水溶性のガスに限られ、半導体プロセス排気ガスの絶えず変化した、微妙な部分を取扱うことができない。従って、小さい方法で排気ガス問題を解決することを各プロセスから得られるガスの特徴に従って対応する排気ガスの処置装置を選び、一致させることは必要である。仕事域が準備中の結晶化または塵の蓄積がガスの特徴の鉛に原因で中央排気ガスの処置システムから大抵、頻繁にあると同時に爆発をもたらすためにガスの漏出に、そして深刻な場合で、導くの詰ることに終ってパイプラインことを場所のスタッフの仕事の安全確認できない。従って、プロセス ガスの特徴のために、適した作業域の停滞した排気ガスを人員の安全を保障するために減らすために形成する小さい排気ガスの処置装置を作業域の必要性で。